Все товары
Труды ФТИАН. Том 27. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология
Нет в продаже
Монографический сборник представляет теоретические и экспериментальные результаты, полученные сотрудниками Института в области физики, моделирования и технологий передовых нанотранзисторных структур для логических интефальных схем (УБИС), наноструктур для твердотельных генераторов терагерцового диапазона частот. Представлены исследования ключевых технологических процессов изготовления таких приборов с критическими размерами 11–32 нм: электронно-лучевой литографии, плазменного нано-структурирования, атомно-слоевого осаждения диэлектриков и металлов. Приводятся результаты в области микроструктурирования пористых low-k диэлектриков для систем многоуровневой металлизации. Большинство исследований проведено в рамках Программы ФНИ ФАНО России.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Фотографии покупателей
Мобильное приложение OZ
Мобильное приложение OZ работает как бонусная карта. Получайте бонусные баллы и повышайте свой кешбэк, совершая покупки в приложении и в розничных магазинах. При оформлении заказа в приложении доставка в выбранный вами магазин бесплатная.
Преимущества приложения
- Покупайте товары через приложение, копите бонусные баллы и оплачивайте ими до 20% стоимости покупки.
- При покупке в магазинах OZ просто покажите продавцу экран "Мой кешбэк" с QR-кодом для списания или начисления бонусных баллов.
- Узнавайте о скидках, уникальных акциях и распродажах.
- Публикуйте отзывы на товары с фотографиями.
- Покупки в магазинах, сделанные через приложение, участвуют в бонусной программе, общей с интернет-магазином OZ.by.
| Издательство | Наука-М |
| Год издания | 2018 |
| Страниц | 138 |
| Переплет | Мягкая обложка |
| Формат (ширина)х(высота) | Увеличенный 170×(215–260) |
| ISBN | 978-5-02-040089-4 |
| Вес нетто | 248 г |
| Изготовитель | Россия, 121099 г. Москва, Шубинский пер., 6, стр. 1 |
| Импортер | ООО «Приносим радость», 220073, г. Минск, ул. Скрыганова, д. 14, каб. 36. |
| Доставка | Самовывоз — бесплатно.
Подробнее о видах доставки, доступных в вашем населенном пункте, — в разделе «Виды доставки». |
| Все параметры | |
Содержание
Д.А. Свинцов, М.К. Руденко, А.Б. Немцов, А. Пильгун, И.А. Семенихин, Л.Е. Федичкин, В. В. Вьюрков, К. В. РуденкоНизкоразмерные пролетные диоды и транзисторы для генерации и детектирования терагерцового излучения
М.К. Руденко, Д.А. Свинцов, С.Н. Филиппов, В.В. Вьюрков
Поведение одноэлектронных солитонов вблизи металлической поверхности в магнитном поле
A. В. Цуканов, И.Ю. Катеев
Источник терагерцовых фотонов на квантовых точках в микрорезонаторе, интегрированный в квантовый чип
А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко, О.П. Гущин
Технологии формирования затворного HkMG-стека с Ml PS-структурой для МДП-транзистора с критическими размерами 32/28 нм
А.В. Мяконьких, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко
Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFETh SiNW транзисторов с размерами 11-22 нм
Ф.А. Сидоров, А.В. Молчанова, А.Е. Рогожин
Двухслойные диэлектрические стеки для затворных структур современных МОП транзисторов
И.Э. Клементе, А.В. Мяконьких
Применение адсорбционной эллипсометрической порометрии для исследования плёнок пористых диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью
B. П. Кудря, Ю.П. Маишев
Физические принципы диагностики пучков быстрых нейтральных частиц. II. Методы определения полного потока частиц в пучке
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Теория электромиграционной неустойчивости границы соединенных проводящих материалов
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Исследование условий изменения формы интерфейсов проводящих микроструктур под действием электрического тока
А.С. Шумилов, И.И. Амиров, В.Ф. Лукичев
Моделирование травления высокоаспектных канавок в кремнии в хлорной плазме
Отзывов нет
Сначала полезные
Сначала новые
Cреди ваших покупок нет этого товара. Вы можете оставлять отзывы только к товарам, которые покупали на OZ.by
Напишите отзыв о книге или задайте вопрос
- Оставить отзыв
- Задать вопрос
Вам запрещено оставлять комментарии