Содержание
Д.А. Свинцов, М.К. Руденко, А.Б. Немцов, А. Пильгун, И.А. Семенихин, Л.Е. Федичкин, В. В. Вьюрков, К. В. Руденко
Низкоразмерные пролетные диоды и транзисторы для генерации и детектирования терагерцового излучения
М.К. Руденко, Д.А. Свинцов, С.Н. Филиппов, В.В. Вьюрков
Поведение одноэлектронных солитонов вблизи металлической поверхности в магнитном поле
A. В. Цуканов, И.Ю. Катеев
Источник терагерцовых фотонов на квантовых точках в микрорезонаторе, интегрированный в квантовый чип
А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко, О.П. Гущин
Технологии формирования затворного HkMG-стека с Ml PS-структурой для МДП-транзистора с критическими размерами 32/28 нм
А.В. Мяконьких, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко
Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFETh SiNW транзисторов с размерами 11-22 нм
Ф.А. Сидоров, А.В. Молчанова, А.Е. Рогожин
Двухслойные диэлектрические стеки для затворных структур современных МОП транзисторов
И.Э. Клементе, А.В. Мяконьких
Применение адсорбционной эллипсометрической порометрии для исследования плёнок пористых диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью
B. П. Кудря, Ю.П. Маишев
Физические принципы диагностики пучков быстрых нейтральных частиц. II. Методы определения полного потока частиц в пучке
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Теория электромиграционной неустойчивости границы соединенных проводящих материалов
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Исследование условий изменения формы интерфейсов проводящих микроструктур под действием электрического тока
А.С. Шумилов, И.И. Амиров, В.Ф. Лукичев
Моделирование травления высокоаспектных канавок в кремнии в хлорной плазме
